!

23 октября 2017

Полевые транзисторы нового поколения.

Новые технологии и альтернативные источники энерги | Комментарии (0)

Средства электроники нуждаются в миниатюрных деталях различного назначения. В данной статье речь пойдет о Двойныех N-канальных МОП-транзисторах.


Полевые транзисторы нового поколения.
Двойные N-канальные Power-МОП-транзисторы в корпусе SO-8

Фирма КЕС предлагает двойной МОП- транзистор на 4,8 А. Ёмкость затвора со­ставляет 805 пФ, пороговое напряжение 1,8 В типовое и 2,5 В максимальное. Мак­симальная температура запирающего слоя 150СС. Этот МОП-транзистор предназна­чен для электронных коммутаторов и сен­соров и может использоваться в измери­тельной технике и технике автоматизации.


Максимальное сопротивление в открытом состоянии составляет 50 мОм, типичное - около 38 мОм.

KMB4D8DN55Q является двойным IM- канальным Enhancement МОП-трэнзистором с электрической прочностью 55 В по Trech-технологии. Максимальная мощность рассеяния при 25°С составля­ет 2 Вт. Поставляется в корпусе SO-8 SMD и соответствует требованиям ROHS.


КЕС является лицензиатом Vishay/Silicomx-Trench-MOSFET-технологий.

  • Комбинированный усилитель на MOSFET транзисторах или «ламповик» без трансфо ...
  • Стабилизатор анодного напряжения для ламповых усилителей.
  • Просто о сложном: микропроцессоры и транзисторы - как они работают?
  •  (голосов: 0)
    Комментарии (0)